CVDおよびALDシリコン前駆体の国内市場と将来予測

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日本のCVDおよびALDシリコン前駆体市場を動かしているのは何でしょうか。本記事では、国内需要を押し上げている要因と、市場を構成する製品タイプ・用途を整理します。

需要を押し上げている要因

日本におけるCVDおよびALD用シリコン前駆体の需要は、半導体製造の先端化とパワー半導体市場の拡大が主要な推進力となっています。特に、東芝やソニーなどの半導体メーカーが3D NANDフラッシュやロジックデバイスの微細化を進める中、高アスペクト比の構造を均一に成膜できるエピタキシャル成長技術や原子層堆積プロセスが不可欠となり、高純度かつ熱安定性に優れた前駆体の需要が急増しています。また、自動車電動化に伴うSiCパワーデバイスの量産が本格化し、GaN-on-Si技術向けの低温成膜プロセスでも新たなシリコン原料が求められます。コスト面では、政府の半導体補助金政策や国内サプライチェーン強化の動きが価格競争を緩和する一方、環境規制の厳格化により、副生成物が少なく安全な前駆体への切替えが進行中です。さらに、従来は膜質や均一性が重視された仕様が、現在では成膜速度の制御性や不純物レベルへの要求が厳しくなり、前駆体の分子設計そのものが製造歩留まりに直結する技術要素へと変化しています。

製品タイプ別の内訳

足の
HCD
3 ミリ秒
4 ミリ秒
その他

タイプごとの特徴

TEOS、HCDS、3MS、4MSなどのCVD及びALD用シリコン前駆体は、半導体製造において絶縁膜や導電性材料の形成に不可欠です。TEOSは化学気相成長法で二酸化ケイ素膜を堆積するのに広く使われ、層間絶縁膜やゲート絶縁膜などに応用されます。HCDSは高い炭素含有率から二酸化ケイ素膜と炭化ケイ素膜の形成に適し、エッチングストッパーや低誘電率膜として評価されます。3MSは有機官能基を有し、アルミニウム配線の防食や低誘電率層間膜に使用される一方、4MSはシリコン原子が多く緻密な膜が得られ、ALDプロセスでの高誘電率膜の下地やパッシベーション膜に利用されます。その他の前駆体としては、BTBASやTDMATなどがあり、それぞれ特定の用途向けに設計されています。これらの前駆体はプロセス要件に応じて選択され、膜質や成膜速度、ステップカバレッジなどの特性を最適化します。

用途別の内訳

集積回路
ディスプレイパネル
ソーラー業界
その他

市場に関わる主要企業

Merck
Air Liquide
DuPont
Soulbrain
Entegris
UP Chemical (Yoke Technology)
SK Material
Nanmat Technology
Strem Chemicals
Hansol Chemical
Dnfsolution
Gelest, Inc.
Jiangsu Nata Opto-electronic
Anhui Botai Electronic Materials
Hefei Adchem Semi-tech

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